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窒化物半導体のバンドギャップ・バンド整合の機械学習予測

(Band gap and band alignment prediction of nitride based semiconductors using machine learning)

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田中専務

拓海先生、最近部下から「この論文を読め」って言われたんですが、タイトルが長くて手を付けられません。要するに何が新しいんでしょうか。

AIメンター拓海

素晴らしい着眼点ですね!この論文は、窒化物(nitride)半導体の重要設計指標であるバンドギャップ(band gap、バンドギャップ)とバンド整合(band alignment、バンド整合)を、機械学習で高速に予測できるようにした研究ですよ。大丈夫、一緒にやれば必ずできますよ。

田中専務

窒化物というとLEDで聞く名前ですね。でも、機械学習を使うってことは、実験や計算を省くための近道という理解でいいですか。

AIメンター拓海

その通りです。まずは基礎を押さえると、従来は第一原理計算(first-principles calculation、第一原理計算)という精度の高い方法で点ごとに計算していましたが時間がかかるんです。機械学習は少数の高精度データで学んで残りを推定する、いわば賢い補助輪の役割を果たしますよ。

田中専務

具体的には何を学習させるんですか。現場で役立つ指標に直結しているんですか。

AIメンター拓海

端的に言うとバンドギャップと基準材料である六方晶GaN(gallium nitride、GaN)に対するバンドオフセット(band offset、バンドオフセット)を学習します。これでデバイス設計に直結するエネルギーの差が手早く分かるため、材料候補の前処理が圧倒的に速くなりますよ。

田中専務

これって要するに、手間のかかる高精度計算を一度だけやって、その結果を元に機械学習で残りを埋められるということ?それならコスト効率は良さそうですね。

AIメンター拓海

正しく理解されています。ポイントを3つでまとめると、1) 高精度データを小規模で作る、2) 特徴量(feature、特徴量)を工夫して学習させる、3) 学習モデルで大規模探索を行う、です。これで投資対効果が出せるか判断できますよ。

田中専務

なるほど。その『特徴量を工夫する』というのは、具体的に人の手が必要な作業ですか。うちの現場でもできるんでしょうか。

AIメンター拓海

特徴量設計は材料知識とデータセンスの掛け合わせです。論文では元素の基本特性(例えば原子番号や電気陰性度)を組み合わせて特徴量を作り、さらに低コストのDFT計算結果(DFT-PBE、Density Functional Theory – Perdew–Burke–Ernzerhof、密度汎関数理論の一手法)を導入すると精度が上がることを示しています。現場では材料の専門家とデータ担当が協働すれば実行可能です。

田中専務

費用対効果の感覚が大事なので最後に一つだけ。モデルの精度は実務で使えるレベルなんでしょうか。

AIメンター拓海

論文ではサポートベクター回帰(Support Vector Regression、SVR)という手法が最も良い結果を示し、バンドオフセットのRMSE(root mean square error、二乗平均平方根誤差)が0.183eV、バンドギャップが0.293eVでした。これは材料探索の予備選定として十分実用的であり、本当に候補を絞る段階でコスト削減に寄与できますよ。

田中専務

なるほど、要は“小さく確かめて、大きく当てる”ということですね。分かりやすいです。ありがとうございます。私の言葉でまとめると、まず高精度で計算した少数のデータを元に、材料の性質を表す特徴量を作り、SVRのような機械学習で大量の候補を短時間で評価できるということ、で合っていますか。

監修者

阪上雅昭(SAKAGAMI Masa-aki)
京都大学 人間・環境学研究科 名誉教授

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